Антава

INFINEON

Транзистор BSP89H6327XTSA1

BSP89H6327XTSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SIPMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
240 V
Drain current
0.35 A
Power dissipation
1.8 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяBSP89H6327XTSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSIPMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage240 V
Drain current0.35 A
Power dissipation1.8 W
КорпусSOT223
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance6 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223

Документация

Документ производителя