Антава

INFINEON

Транзистор BSP373NH6327XTSA1

BSP373NH6327XTSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
1.8 A
Рассеиваемая мощность
1.8 W

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяBSP373NH6327XTSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current1.8 A
Рассеиваемая мощность1.8 W
КорпусSOT223
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.24 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223

Документация

Документ производителя