INFINEON
Транзистор BSP372NH6327XTSA1
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- OptiMOS™
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 100 V
- Drain current
- 1.8 A
- Рассеиваемая мощность
- 1.8 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 6 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%173,41 ₽
Сумма · с НДС 22%173,41 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 173,41 ₽ | |
| от 10 | 102,37 ₽ | |
| от 50 | 79,81 ₽ | |
| от 100 | 71,97 ₽ | |
| от 250 | 62,65 ₽ | |
| от 500 | 56,50 ₽ | |
| от 1000 | 50,72 ₽ | |
| от 2000 | 45,50 ₽ | |
| от 3000 | 44,19 ₽ | |
| от 6000 | 42,89 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | BSP372NH6327XTSA1 |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | OptiMOS™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 100 V |
| Drain current | 1.8 A |
| Рассеиваемая мощность | 1.8 W |
| Корпус | SOT223 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 0.27 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.