Антава

INFINEON

Транзистор BSP322PH6327XTSA1

BSP322PH6327XTSA1
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
SIPMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-100 V
Drain current
-1 A
Power dissipation
1.8 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяBSP322PH6327XTSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияSIPMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-100 V
Drain current-1 A
Power dissipation1.8 W
КорпусPG-SOT223
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.8 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1A; 1.8W; PG-SOT223

Документация

Документ производителя