INFINEON TECHNOLOGIES

Транзистор BSP317PH6327XTSA1

BSP317PH6327XTSA1

Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -430mA
Power dissipation: 1.8W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	BSP317PH6327XTSA1
Производитель	INFINEON TECHNOLOGIES
Type of transistor	P-MOSFET
Technology	SIPMOS™
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-250V
Drain current	-430mA
Power dissipation	1.8W
Корпус	PG-SOT223
Gate-source voltage	±20V
On-state resistance	4Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.43A; 1.8W; PG-SOT223

Документация

Документ производителя