Антава

INFINEON

Транзистор BSP317PH6327XTSA1

BSP317PH6327XTSA1
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
SIPMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-250 V
Drain current
-0.43 A
Рассеиваемая мощность
1.8 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 850 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%237,12 ₽

Сумма · с НДС 22%237,12 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1237,12 ₽
от 10146,76 ₽
от 10096,10 ₽
от 50071,31 ₽
от 100063,23 ₽
от 200056,23 ₽
от 300054,97 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяBSP317PH6327XTSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияSIPMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-250 V
Drain current-0.43 A
Рассеиваемая мощность1.8 W
КорпусPG-SOT223
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.43A; 1.8W; PG-SOT223

Документация

Документ производителяДокумент производителя