Антава

INFINEON

Транзистор BSP316PH6327XTSA1

BSP316PH6327XTSA1
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
SIPMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-100 V
Drain current
-0.68 A
Рассеиваемая мощность
1.8 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 588 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%193,53 ₽

Сумма · с НДС 22%193,53 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1193,53 ₽
от 10128,47 ₽
от 5092,71 ₽
от 10081,47 ₽
от 12578,15 ₽
от 50061,56 ₽
от 100055,11 ₽
от 200050,69 ₽
от 400048,84 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяBSP316PH6327XTSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияSIPMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-100 V
Drain current-0.68 A
Рассеиваемая мощность1.8 W
КорпусPG-SOT223
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.8 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.68A; 1.8W; PG-SOT223

Документация

Документ производителяДокумент производителя