INFINEON
Транзистор BSP315PH6327XTSA1
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Технология
- SIPMOS™
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -60 V
- Drain current
- -1.17 A
- Рассеиваемая мощность
- 1.8 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 998 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%198,21 ₽
Сумма · с НДС 22%198,21 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 198,21 ₽ | |
| от 10 | 115,14 ₽ | |
| от 100 | 79,83 ₽ | |
| от 200 | 71,90 ₽ | |
| от 500 | 63,07 ₽ | |
| от 1000 | 56,22 ₽ | |
| от 2000 | 51,00 ₽ | |
| от 4000 | 46,49 ₽ | |
| от 5000 | 45,05 ₽ | |
| от 6000 | 43,97 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | BSP315PH6327XTSA1 |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Технология | SIPMOS™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -60 V |
| Drain current | -1.17 A |
| Рассеиваемая мощность | 1.8 W |
| Корпус | PG-SOT223 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 0.8 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.17A; 1.8W; PG-SOT223
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.