Антава

INFINEON

Транзистор BSP315PH6327XTSA1

BSP315PH6327XTSA1
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
SIPMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-1.17 A
Рассеиваемая мощность
1.8 W

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 998 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%198,21 ₽

Сумма · с НДС 22%198,21 ₽

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1198,21 ₽
от 10115,14 ₽
от 10079,83 ₽
от 20071,90 ₽
от 50063,07 ₽
от 100056,22 ₽
от 200051,00 ₽
от 400046,49 ₽
от 500045,05 ₽
от 600043,97 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяBSP315PH6327XTSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияSIPMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-1.17 A
Рассеиваемая мощность1.8 W
КорпусPG-SOT223
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.8 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.17A; 1.8W; PG-SOT223

Документация

Документ производителя