Антава

INFINEON

Транзистор BSP296NH6327XTSA1

BSP296NH6327XTSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
1.2 A
Power dissipation
1.8 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяBSP296NH6327XTSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current1.2 A
Power dissipation1.8 W
КорпусSOT223
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.8 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223

Документация

Документ производителя