Антава

INFINEON

Транзистор BSP295H6327XTSA1

BSP295H6327XTSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SIPMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
1.8 A
Рассеиваемая мощность
1.8 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 733 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%251,17 ₽

Сумма · с НДС 22%251,17 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1251,17 ₽
от 10155,39 ₽
от 50112,09 ₽
от 10099,72 ₽
от 12596,53 ₽
от 50081,16 ₽
от 100075,91 ₽
от 200072,16 ₽
от 300070,10 ₽
от 1000065,98 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяBSP295H6327XTSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSIPMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current1.8 A
Рассеиваемая мощность1.8 W
КорпусSOT223
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.3 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.8W; SOT223

Документация

Документ производителя