INFINEON

Транзистор BSP295H6327XTSA1

BSP295H6327XTSA1

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60 V
Drain current: 1.8 A
Power dissipation: 1.8 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	BSP295H6327XTSA1
Производитель	INFINEON
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	SIPMOS™
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	60 V
Drain current	1.8 A
Power dissipation	1.8 W
Корпус	SOT223
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	0.3 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.8W; SOT223

Документация

Документ производителя