INFINEON
Транзистор BSP170PH6327XTSA1
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Технология
- SIPMOS™
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -60 V
- Drain current
- -1.9 A
- Рассеиваемая мощность
- 1.8 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 2 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%236,44 ₽
Сумма · с НДС 22%236,44 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 236,44 ₽ | |
| от 10 | 147,28 ₽ | |
| от 50 | 110,28 ₽ | |
| от 200 | 88,08 ₽ | |
| от 500 | 77,07 ₽ | |
| от 1000 | 70,03 ₽ | |
| от 2000 | 64,25 ₽ | |
| от 3000 | 61,18 ₽ | |
| от 4000 | 59,20 ₽ | |
| от 10000 | 53,78 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | BSP170PH6327XTSA1 |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Технология | SIPMOS™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -60 V |
| Drain current | -1.9 A |
| Рассеиваемая мощность | 1.8 W |
| Корпус | PG-SOT223 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 0.3 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.