Антава

INFINEON

Транзистор BSP125H6327XTSA1

BSP125H6327XTSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SIPMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
0.12 A
Рассеиваемая мощность
1.8 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 625 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%206,63 ₽

Сумма · с НДС 22%206,63 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1206,63 ₽
от 10135,44 ₽
от 5098,81 ₽
от 10086,78 ₽
от 50077,20 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяBSP125H6327XTSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSIPMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current0.12 A
Рассеиваемая мощность1.8 W
КорпусSOT223
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance45 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223

Документация

Документ производителя