INFINEON

Транзистор BSP125H6327XTSA1

BSP125H6327XTSA1

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600 V
Drain current: 0.12 A
Power dissipation: 1.8 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	BSP125H6327XTSA1
Производитель	INFINEON
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	SIPMOS™
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	600 V
Drain current	0.12 A
Power dissipation	1.8 W
Корпус	SOT223
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	45 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223

Документация

Документ производителя