Антава

INFINEON

Транзистор BSO613SPVGXUMA1

BSO613SPVGXUMA1
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
SIPMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-3.44 A
Pulsed drain current
-13.8 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяBSO613SPVGXUMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияSIPMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-3.44 A
Pulsed drain current-13.8 A
Power dissipation2.5 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.13 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.44A; Idm: -13.8A; 2.5W; SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.