INFINEON
Транзистор BSO613SPVGXUMA1
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Технология
- SIPMOS™
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -60 V
- Drain current
- -3.44 A
- Pulsed drain current
- -13.8 A
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 2 498 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%364,70 ₽
Сумма · с НДС 22%364,70 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 364,70 ₽ | |
| от 10 | 230,79 ₽ | |
| от 50 | 175,51 ₽ | |
| от 100 | 156,14 ₽ | |
| от 500 | 122,52 ₽ | |
| от 1000 | 119,29 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | BSO613SPVGXUMA1 |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Технология | SIPMOS™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -60 V |
| Drain current | -3.44 A |
| Pulsed drain current | -13.8 A |
| Power dissipation | 2.5 W |
| Корпус | SO8 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 0.13 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.44A; Idm: -13.8A; 2.5W; SO8
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.