INFINEON
Транзистор BSO211PHXUMA1
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Технология
- OptiMOS™ P
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -20 V
- Drain current
- -4.6 A
- Power dissipation
- 1.6 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | BSO211PHXUMA1 |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Технология | OptiMOS™ P |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -20 V |
| Drain current | -4.6 A |
| Power dissipation | 1.6 W |
| Корпус | PG-DSO-8 |
| Gate-source voltage | ±12 V |
| On-state resistance | 67 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.