Антава

INFINEON

Транзистор BSO211PHXUMA1

BSO211PHXUMA1
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
OptiMOS™ P
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-4.6 A
Power dissipation
1.6 W

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяBSO211PHXUMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ P
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-4.6 A
Power dissipation1.6 W
КорпусPG-DSO-8
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance67 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8

Документация

Документ производителя