Антава

NEXPERIA

Транзистор BSN20BKR

BSN20BKR
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
0.17A
Power dissipation
402mW
Корпус
SOT23, TO236AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяBSN20BKR
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current0.17A
Power dissipation402mW
КорпусSOT23, TO236AB
Gate-source voltage±20V
On-state resistance5.7Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.49nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.17A; 402mW; SOT23,TO236AB

Документация

Документ производителя