Антава

INFINEON

Транзистор BSL308PEH6327XTSA1

BSL308PEH6327XTSA1
Type of transistor
P-MOSFET x2
Технология
OptiMOS™ P3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-2 A
Рассеиваемая мощность
0.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 151 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%187,71 ₽

Сумма · с НДС 22%187,71 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1187,71 ₽
от 10107,93 ₽
от 5083,02 ₽
от 10074,54 ₽
от 50058,12 ₽
от 100052,16 ₽
от 300044,04 ₽
от 600043,32 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяBSL308PEH6327XTSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorP-MOSFET x2
ТехнологияOptiMOS™ P3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-2 A
Рассеиваемая мощность0.5 W
КорпусPG-TSOP-6
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance80 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-TSOP-6; ESD

Документация

Документ производителя