INFINEON
Транзистор BSL211SPH6327XTSA1
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Технология
- OptiMOS™ P
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -20 V
- Drain current
- -4.7 A
- Power dissipation
- 2 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 2 829 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%196,92 ₽
Сумма · с НДС 22%196,92 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 196,92 ₽ | |
| от 10 | 93,58 ₽ | |
| от 100 | 75,21 ₽ | |
| от 250 | 68,08 ₽ | |
| от 500 | 62,83 ₽ | |
| от 1000 | 57,39 ₽ | |
| от 3000 | 48,95 ₽ | |
| от 6000 | 43,51 ₽ | |
| от 9000 | 41,26 ₽ | |
| от 15000 | 40,32 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | BSL211SPH6327XTSA1 |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Технология | OptiMOS™ P |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -20 V |
| Drain current | -4.7 A |
| Power dissipation | 2 W |
| Корпус | PG-TSOP-6 |
| Gate-source voltage | ±12 V |
| On-state resistance | 67 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.7A; 2W; PG-TSOP-6
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.