Антава

NEXPERIA

Транзистор BSH205G2R

BSH205G2R
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-1.2 A
Рассеиваемая мощность
0.89 W
Корпус
SOT23, TO236AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяBSH205G2R
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-1.2 A
Рассеиваемая мощность0.89 W
КорпусSOT23, TO236AB
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance0.6 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge6.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.2A; 890mW; SOT23,TO236AB

Документация

Документ производителя