Антава

NEXPERIA

Транзистор BSH203,215

BSH203,215
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-300 mA
Рассеиваемая мощность
0.17 W
Корпус
SOT23, TO236AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяBSH203,215
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-300 mA
Рассеиваемая мощность0.17 W
КорпусSOT23, TO236AB
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance1.65 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge2.2nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor deviceslogic level
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.3A; 170mW; SOT23,TO236AB

Документация

Документ производителя