Антава

NEXPERIA

Транзистор BSH111BKR

BSH111BKR
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
55 V
Drain current
0.13 A
Рассеиваемая мощность
364 mW
Корпус
SOT23, TO236AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 5 970 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%29,50 ₽

Сумма · с НДС 22%29,50 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 129,50 ₽
от 1024,71 ₽
от 5017,89 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяBSH111BKR
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage55 V
Drain current0.13 A
Рассеиваемая мощность364 mW
КорпусSOT23, TO236AB
Gate-source voltage±10 V
On-state resistance8.1 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.13A; 364mW; SOT23,TO236AB

Документация

Документ производителяДокумент производителя