Антава

NEXPERIA

Транзистор BSH103BKR

BSH103BKR
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
1A
Pulsed drain current
4A
Power dissipation
0.33W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяBSH103BKR
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current1A
Pulsed drain current4A
Power dissipation0.33W
КорпусSOT23, TO236AB
Gate-source voltage±12V
On-state resistance0.27Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.8nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1A; Idm: 4A; 330mW

Документация

Документы пока не предоставлены.