Антава

NEXPERIA

Транзистор BSH103,215

BSH103,215
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
0.85A
Power dissipation
0.5W
Корпус
SOT23, TO236AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяBSH103,215
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current0.85A
Power dissipation0.5W
КорпусSOT23, TO236AB
Gate-source voltage±8V
On-state resistance0.6Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge2.1nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.85A; 500mW; SOT23,TO236AB

Документация

Документ производителя