Антава

INFINEON

Транзистор BSG0811NDATMA1

BSG0811NDATMA1
Type of transistor
N-MOSFET x2
Технология
OptiMOS™ 5
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
25 V
Drain current
31 A
Power dissipation
6.25 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяBSG0811NDATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET x2
ТехнологияOptiMOS™ 5
Polarisationunipolar
Drain-source voltage25 V
Drain current31 A
Power dissipation6.25 W
КорпусPG-TISON-8-4
Gate-source voltage±16 V
On-state resistance4 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 31A; 6.25W; PG-TISON-8-4

Документация

Документ производителя