BOURNS
Диод BSDH10G120E2
Фото уточняется
- Type of diode
- Schottky rectifying
- Технология
- SiC
- Монтаж
- THT — в отверстия
- Max. off-state voltage
- 1.2 kV
- Load current
- 10 A
- Semiconductor structure
- single diode
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 2 610 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%751,24 ₽
Сумма · с НДС 22%18 029,76 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 24 | 751,24 ₽ | |
| от 300 | 617,77 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | BSDH10G120E2 |
|---|---|
| Производитель | BOURNS |
| Type of diode | Schottky rectifying |
| Технология | SiC |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Max. off-state voltage | 1.2 kV |
| Load current | 10 A |
| Semiconductor structure | single diode |
| Корпус | TO220-2 |
| Max. forward voltage | 1.6 V |
| Max. forward impulse current | 80 A |
| Leakage current | 50 µA |
| Ёмкость | 481 pF |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; Ir: 50uA
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.