INFINEON
Транзистор BSD235CH6327XTSA1
- Type of transistor
- N/P-MOSFET
- Технология
- OptiMOS™ 2
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 20/-20 V
- Drain current
- 0.95/-0.53 A
- Рассеиваемая мощность
- 0.5 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 1 598 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%94,78 ₽
Сумма · с НДС 22%94,78 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 94,78 ₽ | |
| от 10 | 58,51 ₽ | |
| от 50 | 42,83 ₽ | |
| от 100 | 37,37 ₽ | |
| от 250 | 31,35 ₽ | |
| от 500 | 27,16 ₽ | |
| от 1000 | 23,88 ₽ | |
| от 3000 | 19,14 ₽ | |
| от 6000 | 16,95 ₽ | |
| от 9000 | 15,49 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | BSD235CH6327XTSA1 |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | N/P-MOSFET |
| Технология | OptiMOS™ 2 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 20/-20 V |
| Drain current | 0.95/-0.53 A |
| Рассеиваемая мощность | 0.5 W |
| Корпус | PG-SOT-363 |
| Gate-source voltage | ±12 V |
| On-state resistance | 0.415/1.221 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.