Антава

INFINEON

Транзистор BSC900N20NS3GATMA1

BSC900N20NS3GATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
15.2 A
Рассеиваемая мощность
62.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяBSC900N20NS3GATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current15.2 A
Рассеиваемая мощность62.5 W
КорпусPG-TDSON-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance90 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 15.2A; 62.5W; PG-TDSON-8

Документация

Документ производителя