Антава

INFINEON

Транзистор BSC360N15NS3GATMA1

BSC360N15NS3GATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150 V
Drain current
33 A
Рассеиваемая мощность
74 W

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяBSC360N15NS3GATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150 V
Drain current33 A
Рассеиваемая мощность74 W
КорпусPG-TDSON-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance36 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 33A; 74W; PG-TDSON-8

Документация

Документ производителя