Антава

INFINEON

Транзистор BSC340N08NS3GATMA1

BSC340N08NS3GATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
23 A
Рассеиваемая мощность
32 W

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяBSC340N08NS3GATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current23 A
Рассеиваемая мощность32 W
КорпусPG-TDSON-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance34 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8

Документация

Документ производителя