Антава

INFINEON

Транзистор BSC190N15NS3GATMA1

BSC190N15NS3GATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150 V
Drain current
50 A
Рассеиваемая мощность
125 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяBSC190N15NS3GATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150 V
Drain current50 A
Рассеиваемая мощность125 W
КорпусPG-TSDSON-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance19 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 125W; PG-TSDSON-8

Документация

Документ производителя