Антава

INFINEON

Транзистор BSC190N15NS3GATMA1

BSC190N15NS3GATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150 V
Drain current
50 A
Рассеиваемая мощность
125 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 216 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%301,78 ₽

Сумма · с НДС 22%301,78 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1301,78 ₽
от 3296,40 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяBSC190N15NS3GATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150 V
Drain current50 A
Рассеиваемая мощность125 W
КорпусPG-TSDSON-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance19 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 125W; PG-TSDSON-8

Документация

Документ производителя