Антава

INFINEON

Транзистор BSC118N10NSGATMA1

BSC118N10NSGATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
71 A
Рассеиваемая мощность
114 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяBSC118N10NSGATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current71 A
Рассеиваемая мощность114 W
КорпусPG-TDSON-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance11.8 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 71A; 114W; PG-TDSON-8

Документация

Документ производителя