Антава

INFINEON

Транзистор BSC110N15NS5ATMA1

BSC110N15NS5ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 5
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150 V
Drain current
48 A
Pulsed drain current
304 A

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяBSC110N15NS5ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 5
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150 V
Drain current48 A
Pulsed drain current304 A
Power dissipation125 W
КорпусPG-TDSON-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance11 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 48A; Idm: 304A; 125W

Документация

Документы пока не предоставлены.