Антава

INFINEON

Транзистор BSC100N06LS3GATMA1

BSC100N06LS3GATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
36 A
Pulsed drain current
200 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 7 643 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%221,44 ₽

Сумма · с НДС 22%221,44 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1221,44 ₽
от 10143,28 ₽
от 25114,81 ₽
от 5098,62 ₽
от 10086,90 ₽
от 12583,74 ₽
от 25078,90 ₽
от 50076,11 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяBSC100N06LS3GATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current36 A
Pulsed drain current200 A
Рассеиваемая мощность50 W
КорпусPG-TDSON-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance10 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge45nC
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor deviceslogic level
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8

Документация

Документ производителя