Антава

INFINEON

Транзистор BSC093N04LSGATMA1

BSC093N04LSGATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
40 A
Рассеиваемая мощность
35 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 284 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%143,46 ₽

Сумма · с НДС 22%143,46 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1143,46 ₽
от 10129,83 ₽
от 50100,06 ₽
от 10083,92 ₽
от 50079,26 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяBSC093N04LSGATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current40 A
Рассеиваемая мощность35 W
КорпусPG-TDSON-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance9.3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TDSON-8

Документация

Документ производителя