Антава

INFINEON

Транзистор BSC0911NDATMA1

BSC0911NDATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
25 V
Drain current
40 A
Power dissipation
2.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяBSC0911NDATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage25 V
Drain current40 A
Power dissipation2.5 W
КорпусPG-TISON-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3.2 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 2.5W; PG-TISON-8

Документация

Документ производителя