Антава

INFINEON

Транзистор BSC0906NSATMA1

BSC0906NSATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
53 A
Рассеиваемая мощность
30 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяBSC0906NSATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current53 A
Рассеиваемая мощность30 W
КорпусPG-TDSON-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8

Документация

Документ производителя