INFINEON

Транзистор BSC0901NSIATMA1

BSC0901NSIATMA1

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30 V
Drain current: 100 A
Рассеиваемая мощность: 69 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	BSC0901NSIATMA1
Производитель	INFINEON
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	OptiMOS™
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	30 V
Drain current	100 A
Рассеиваемая мощность	69 W
Корпус	PG-TDSON-8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	2 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8

Документация

Документ производителя