Антава

INFINEON

Транзистор BSC084P03NS3GATMA1

BSC084P03NS3GATMA1
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
OptiMOS™ P3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-78.6 A
Рассеиваемая мощность
69 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяBSC084P03NS3GATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ P3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-78.6 A
Рассеиваемая мощность69 W
КорпусPG-TDSON-8
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance8.4 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -78.6A; 69W; PG-TDSON-8

Документация

Документ производителя