Антава

INFINEON TECHNOLOGIES

Транзистор BSC060P03NS3EGATMA1

BSC060P03NS3EGATMA1
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
OptiMOS™ P3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30V
Drain current
-100A
Power dissipation
83W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяBSC060P03NS3EGATMA1
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyOptiMOS™ P3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30V
Drain current-100A
Power dissipation83W
КорпусPG-TDSON-8
Gate-source voltage±25V
On-state resistance6mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 83W; PG-TDSON-8

Документация

Документ производителя