Антава

INFINEON

Транзистор BSC060N10NS3 G

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
100 V
Pulsed drain current
360 A
Power dissipation
125 W
Gate-source voltage
±20 V
Монтаж
SMD — поверхностный
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 4 143 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%435,10 ₽

Сумма · с НДС 22%11 747,70 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 27435,10 ₽
от 30348,83 ₽
от 50331,95 ₽
от 100320,70 ₽
от 300279,44 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяBSC060N10NS3 G
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage100 V
Pulsed drain current360 A
Power dissipation125 W
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 100V; 360A; 125W; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.