Антава

INFINEON

Транзистор BSC060N10NS3 G

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
100 V
Pulsed drain current
360 A
Power dissipation
125 W
Gate-source voltage
±20 V
Монтаж
SMD — поверхностный
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяBSC060N10NS3 G
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage100 V
Pulsed drain current360 A
Power dissipation125 W
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 100V; 360A; 125W; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.