Антава

INFINEON

Транзистор BSC057N03MSGATMA1

BSC057N03MSGATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
71A
Power dissipation
45W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяBSC057N03MSGATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current71A
Power dissipation45W
КорпусPG-TDSON-8
Gate-source voltage±16V
On-state resistance5.7mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 71A; 45W; PG-TDSON-8

Документация

Документ производителя