Антава

INFINEON

Транзистор BSC050NE2LSATMA1

BSC050NE2LSATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
25 V
Drain current
39 A
Power dissipation
28 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяBSC050NE2LSATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage25 V
Drain current39 A
Power dissipation28 W
КорпусPG-TDSON-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 39A; 28W; PG-TDSON-8

Документация

Документ производителя