Антава

INFINEON

Транзистор BSC0504NSIATMA1

BSC0504NSIATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 5
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
64 A
Power dissipation
30 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяBSC0504NSIATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 5
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current64 A
Power dissipation30 W
КорпусPG-TDSON-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3.7 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 64A; 30W; PG-TDSON-8

Документация

Документ производителя