Антава

INFINEON

Транзистор BSC0501NSIATMA1

BSC0501NSIATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 5
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
100 A
Power dissipation
50 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяBSC0501NSIATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 5
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current100 A
Power dissipation50 W
КорпусPG-TDSON-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.9 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 50W; PG-TDSON-8

Документация

Документ производителя