Антава

INFINEON

Транзистор BSC040N10NS5ATMA1

BSC040N10NS5ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 5
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
100 A
Рассеиваемая мощность
104 W

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяBSC040N10NS5ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 5
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current100 A
Рассеиваемая мощность104 W
КорпусPG-TDSON-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 104W; PG-TDSON-8

Документация

Документ производителя