Антава

INFINEON

Транзистор BSC036NE7NS3 G

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
75 V
Pulsed drain current
400 A
Рассеиваемая мощность
156 W
Gate-source voltage
±20 V
On-state resistance
3.6 mΩ
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяBSC036NE7NS3 G
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage75 V
Pulsed drain current400 A
Рассеиваемая мощность156 W
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3.6 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge63.4nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 75V; 400A; 156W; automotive industry

Документация

Документы пока не предоставлены.